美限對華出口技術 打亂中國晶片擴張大計
[2023.02.17] 發表
《日經亞洲》周三(15日)報道，美國拜登政府去年大規模限制對華出口美國晶片技術後，打亂中國主要晶片製造商的擴張大計。
報道引述大規模生產NAND快閃記憶體的中國記憶體晶片製造商長江存儲工程人員透露，估計耗資約1000億元人民幣、位於武漢市中心以東約40公里的第二間廠房，原定去年底投產並令產能提升兩倍，但受到美國制裁影響，即使已架設好電子設備，但因最關鍵晶片生產設備未有着落，安裝工作未能展開。持美國護照的長江存儲行政總裁亦於去年9月下台，翌月來支援生產擴充的美國晶片設備公司工程師亦撤走。該公司一名工程師向《日經亞洲》透露，其部門上月裁減約一成員工，亦暫停聘畢業生，認為公司前景不明朗。
專門生產「動態隨機存取記憶體」(DRAM)的合肥長鑫存儲業務亦受美國制裁影響，一名該公司工程人員透露，原定今年開始興建的第二間廠房，推遲到最快明年或後年才動工。公司新研發中心興建計劃亦受阻，該工程人員指公司將暫停招聘畢業生，各部門分別裁減5%至7%員工。
《日經亞洲》稱上述兩公司皆受惠於官方近年俗稱「大基金」的「國家集成電路產業投資基金」。該基金首期投資1400億元人民幣，配合北京「中國製造2025」倡議。兩間公司皆未回應報道。(日經亞洲/彭博社)
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