人為過失致數萬片晶圓報廢
長鑫存儲處分多名高層
自從美國在2020年對華為全面實施晶片技術封鎖以來，在半導體行業實行國產替代，就成為中國的頭等目標。這4年多，儘管在半導體製造設備國產化方面未如人意，在中央處理器、人工智能處理器、記憶體等晶片的國產化上，總算取得一些進展。可是最近又傳出，內地最大的DRAM記憶體生產商長鑫存儲(CXMT)在努力追趕外國時，遭遇重大挫折，由於人為失誤，竟然出現數萬片晶圓報廢的事故，相關高層已遭到處分。
傳為增產而調整工序致出錯
綜合各媒體上星期的報道，長鑫存儲的內部文件顯示，由於人為因素造成的數萬片晶圓報廢事件，引致生產線遭受嚴重良率損失和重大品質風險，關鍵產品無法按時付運，嚴重影響了該公司對客戶的交付和市場聲譽。在該公司的查處下，多名高層已受到處分，包括營運中心負責人、合肥晶圓廠廠長、北京晶圓廠廠長、合肥晶圓廠副廠長等。當中，以營運中心負責人遭到停職處分最嚴重。在這次處分的合肥晶圓廠高層當中，其中一人為台籍高管，曾經擔任台積電的上海松江廠廠長。據悉，該高層當年更是帶着100餘名下屬轉投長鑫存儲。有關報道主要來自外國和台灣媒體，中國內地則只有《電子工程專輯》和個別財經媒體報道。直至昨日，仍然未見長鑫存儲否認或證實報道。
至於具體是什麼人為失誤，以及有多少萬片晶圓要報廢，絕大部分報道都沒有說清楚。但有說，多名半導體業內人士曾對內地某財經媒體表示，長鑫存儲為了降本增效，調整了原來的生產工序，但各方面沒有配合好，導致一批晶圓出了問題。而內地有個別自媒體聲稱，共有6萬片晶圓要報廢。事實上，長鑫存儲近年確實在產能和技術上努力追趕，希望能夠縮短和外國巨頭的差距。現時，長鑫存儲在合肥和北京各有一間12吋晶圓廠，上海設有研發中心。
原擬今年底DRAM市佔率達一成
根據ZDnet Korea等媒體早前的報道，長鑫存儲的DRAM晶圓總產能，由2022年的每月7萬片，快速增長到2023年的每月12萬片，今年更進一步增長至每月超過20萬片。預料到今年底，長鑫存儲的DRAM總產能將可達到全球的10%。現時，長鑫存儲的主要產品是17和18納米製程的DDR4和LPDDR4 DRAM。2023年11月底，長鑫存儲宣布，針對中高端的移動設備，推出LPDDR5 DRAM系列產品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5晶片，以及DSC封裝的6GB LPDDR5晶片。其中，12GB的LPDDR5 DRAM晶片已在小米、傳音等內地手機生產商的機型上完成驗證。今年8月初，據DigiTimes報道，長鑫存儲已開始大量生產與人工智能(AI)晶片配套使用的HBM2高頻寬記憶體，比原來計劃的2026年提早了大約兩年。
技術仍落後三星美光SK海力士
但與三星、美光、SK海力士這三大DRAM生產巨頭相比，長鑫存儲仍存在不小的技術代差。三星早在2019年7月就率先宣布量產12GB的LPDDR5移動DRAM。美光則在2020年2月開始供應6GB、8GB和12GB容量的LPDDR5 DRAM。而SK海力士則在2021年8月宣布量產18GB的LPDDR5移動DRAM。由此看來，長鑫存儲與三星和美光的技術差距大約在4年上下；與SK海力士相比，也至少落後了兩年多。尤其是，在美國近年對中國加強半導體設備禁運的情形下，長鑫存儲向外國採購的生產設備的製程精密度被限制在18納米或以上，要追趕是倍加困難。
市場料非製造設備不行
據Tom's Hardware今年1月底報道，長鑫存儲甚至要通知美國當局，該公司的17納米製程技術其實未達到實際標準，更像是18.5納米製程，所以並沒有違反美國的出口管制。 有些媒體猜測，長鑫存儲這次出現行業極罕見的數萬片晶圓報廢事故，可能與急於求成有關。據悉，長鑫存儲的技術研究和開發中心負責人是周梅生。
新加坡籍的周梅生，曾經擔任泛林半導體設備(Lam Research)的中國區首席技術官，之前則任職於新加坡特許半導體、台積電、聯華電子及格羅方德半導體等。由2017年起，她擔任中芯國際(0981)的技術研發執行副總裁，直接向聯席首席執行官梁孟松匯報，是梁孟松帶領中芯國際推動先進製程的重要助手。周梅生在2022年6月底離開中芯國際，不久即加盟長鑫存儲。在她的協助下，長鑫存儲近年在技術研發和市場佔有率方面，似乎更加進取。
外界有人估計，長鑫存儲這次失誤，可能與改用國產化的設備或材料有關。但亦有市場人士認為，這次事件應該純屬人為失誤，而非製造設備不行，所以才出現多名高層被處分。
