華研國產DUV光刻機 可產8納米下晶片

【明報專訊】工業和信息化部9日印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》通知，電子專用裝備列表包括國產氟化氪光刻機(110nm)，以及氟化氬光刻機(65nm)。被業內認為是國產深紫外線(DUV)光刻機的里程碑式進步。

「IT之家」昨日報道，中國首台(套)重大技術裝備是指國內實現重大技術突破、擁有知識產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。

工信部目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV光刻機)，核心技術指標是「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。這代表該國產DUV可生產8納米及以下晶片。國產DUV光刻機的良率則未見提及。

報道指出，國產DUV光刻機雖與荷蘭ASML光刻機存在代差，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外線(EUV)光刻機。中國若實現國產8納米及以下光刻機，未來絕大多數晶片製造，將不受制於ASML。截至目前，暫無中國官方與廠商宣布這項消息。

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